台积电拟进军先进内存芯片制造，应英伟达要求布局3D DRAM

contact@theblockbeats.org (律动BlockBeats)

11 月 6 日，据 The Information 报道，两名消息人士表示，台积电 (TSM.N) 正在考虑扩展到先进内存芯片制造领域，这一举措将使全球最大的芯片制造商在 AI 硬件供应链中占据更大份额。台积电 (TSM.N) 最近开始制定生产一种特定类型的先进内存芯片——3D DRAM 的计划，响应其最大用户英伟达 (NVDA.O) 的请求。DRAM，即动态随机存取内存，在处理器使用数据时保存数据。与传统 DRAM 不同，传统 DRAM 将内存单元放在单层中，而 3D DRAM 则将单元垂直堆叠以容纳更多内存。

内存芯片制造目前由三星电子、SK 海力士和美光科技主导。这三家公司也在开发 3D DRAM 技术，展开下一代内存制造的竞争。这场由 AI 硬件热潮引发的内存芯片严重短缺，导致价格飙升，并促使英伟达和苹果等芯片设计公司寻找额外的供应来源。今年早些时候，苹果因内存成本上升而提高了其设备的价格。